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超聲波清洗機(jī)的QDR清洗工藝(快排噴淋沖洗)在晶圓清洗中的應(yīng)用
時(shí)間:2020-12-25 關(guān)鍵詞:超聲波清洗機(jī),噴淋清洗機(jī) 瀏覽量:6722
       快排噴淋沖洗槽(又稱QDR)是精密電子及半導(dǎo)體晶圓清洗不可缺少的一部分,它主要用于去除晶圓表面微粒雜質(zhì)和殘留化學(xué)藥液,使晶圓表面潔凈。是晶圓濕法清洗中重要的一個(gè)清洗工藝模塊。QDR槽由安裝在槽體底部的快排汽缸、底部DI水注入孔及頂部左右兩側(cè)的DI水噴嘴實(shí)現(xiàn)槽體的快速注入與排放,有氮?dú)夤呐莨δ懿⒓佑布﨩N/OFF switch。QDR快排沖洗槽的結(jié)構(gòu)如下圖所示,主要由噴淋槽、溢流槽、勻流板、快排汽缸體、噴嘴噴管、管路和管件等組成。
       蘇州富怡達(dá)超聲波有限公司的快排噴淋沖洗槽是用316L鏡面不銹鋼板材焊接加工而成,由安裝在槽體底部的快排汽缸、底部DI Water注入孔及頂部左右兩側(cè)的DI Water噴嘴實(shí)現(xiàn)槽體的快速注入與排放,有鼓泡沖浪清洗功能及超聲波震動功能。在溢流排放口安裝有純水電阻率檢測儀,可對沖洗溢流的水質(zhì)時(shí)時(shí)監(jiān)控,水質(zhì)不達(dá)標(biāo)即啟動快排,快速更換新水。
       一、噴淋清洗
       上噴淋管路共有兩路,形成相互交叉噴淋,但去離子水不宜直接噴淋沖洗晶圓表面,因晶圓在水蝕作用下直接噴淋晶圓表面,易產(chǎn)生微粒污泥而污染晶圓表面,因此,在去離子水的噴淋過程中,需要對沖洗水壓、水量、方向和角度作出調(diào)整測試,以達(dá)到微粒污染少的較好效果。 良好的噴嘴所噴淋范圍涵蓋全部晶圓及片盒; 而不良的噴淋沖洗形狀,沒有涵蓋全部晶圓及片盒,未被噴淋沖洗的死角地帶,微粒、雜質(zhì)及化學(xué)藥液殘留含量仍然很高,而達(dá)不到良好的清洗效果。
       二、鼓泡沖浪清洗
       上噴淋同時(shí),下噴淋管路由底部兩側(cè)不斷進(jìn)水,而后由內(nèi)槽上沿四周溢出,這樣,每個(gè)晶圓片縫、各處邊角的去離子水都能連續(xù)得到更新。 同時(shí),純凈氣體(氮?dú)饣驂嚎s空氣)由下噴淋管路進(jìn)入槽體。鼓泡有以下幾個(gè)作用:
       (1)增加了去離子水的沖刷力,對槽體本身有很好的自清洗作用;
       (2)晶圓在水流中顫動,氣泡不能沾附其上,提高了沖洗效果;
       (3)氮?dú)夤呐轀p少去離子水中的含氧量,避免在晶圓表面生成氧化物。
       三、超聲波清洗
       蘇州富怡達(dá)超聲波有限公司的QDR增加了超聲波功能選項(xiàng),與鼓泡沖浪清洗交替作用,極大的提高了清洗效率,并有效降低DI水的消耗量。典型的應(yīng)用方法是:上噴淋+排放→上噴淋+下進(jìn)水→超聲+上噴淋+溢流→鼓泡+上噴淋+溢流→快排放
       四、快沖快排
       QDR 噴淋注滿水時(shí)間和排水時(shí)間,對晶圓清洗質(zhì)量有很大影響。 因晶圓表面暴露在空氣中會接觸空氣中的氧分子或水汽,在常溫下,即會生長一層很薄的氧化層(約為 0.5~1 nm),這層自然氧化物的厚度與暴露在空氣中的時(shí)間長短有關(guān), 因此,噴淋注滿水時(shí)間越長,晶圓暴露在空氣中的時(shí)間就會越長,因而形成的氧化層也越厚,這對晶圓清洗,是很不利的。 QDR 排水的時(shí)間越短,排水流速就會越大,有利于去離子水帶走晶圓表面上的微粒雜質(zhì)。因此,在 QDR 設(shè)計(jì)中,要盡可能的縮短噴淋注滿水時(shí)間和排水時(shí)間,實(shí)現(xiàn)快沖快排,整體效率也會得到提高。富怡達(dá)超聲波的QDR快排及注水時(shí)間指標(biāo)為:注入時(shí)間:≤120秒,排放時(shí)間:≤12秒。
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